簡介 薄模沈積 參考文獻 廠商型錄


版面製作:王倩瑤   更新日期:1996/10/17

簡介

金屬真空濺鍍機MCH-9800主要用於發展與製造1M-bit、4M-bit, 與16M-bits動態隨機存取記憶體(DRAM)之8吋晶圓的多層膜 沈積 (multilayer film deposition)。 它具有全自動的操作功能,內含控制電腦可與SECS-II匹配之主機電腦連線而達到IC製程自動化的功能。 使用者僅須將晶圓放置在卡匣中,晶圓即會自動放入載入室(loading chamber),而後經由加熱室 (heating chamber)、蝕刻室(etching chamber)、濺鍍室(sputtering chamber)、冷卻室(cooling chamber), 最後經由載出室(unloading chamber),完成薄模濺鍍過程。 MCH-9800具有三個濺鍍室,因此可同時進行三片晶圓的薄膜濺鍍,可大幅提高系統效能。 同時蝕刻室與濺鍍室也完全隔離,因此兩者亦可同時進行。此外它也增加了一個冷卻室,可有效提高濺鍍的品質。

半導體維修技術「金屬真空濺鍍機」研習班〔4/29-5/3〕

招生簡章課程表師資介紹電源供應器原理解說與維修


薄模沈積

半導體元件中用量最大的就非DRAM(動態隨機存取記憶體)莫屬了,而DRAM主要採用CMOS的製程技術, 基本上MOS是由數層不等且材質厚度均不同的薄膜所組合成的,此一將薄膜覆蓋在晶片上的技術就是所謂的 薄膜沈積(Thin Film Deposition)薄膜成長(Thin Film Growth)等技術。 目前VLSI的製程主要採用薄膜沈積技術,由早期的蒸鍍以發展成兩個主要的方向: 物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition, PVD)化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition, CVD)


物理氣相沈積

濺鍍原理

濺鍍設備


化學氣相沈積


金屬真空濺鍍機 MCH-9800圖示說明

MCH-9800系統全觀MCH-9800正面圖MCH-9800晶圓自動放置機構MCH-9800操作終端機
側視圖背視圖上方配線電路盤控制主機MSS控制主機之Multibus 8086控制界面電路板
電源供應器電源供應器之背視圖DC Power SupplyMagnet Power Supply
林哲明課長、彭主任、葉清發教授、與黃宇中教授

金屬真空濺鍍機〔ULVAC: MCH-9800 Multilayer Sputtering System〕的系統組成

   真空濺鍍自動控制系統

   氣體流量控制系統

   冷動邦浦系統

   電源供應系統

   RF系統

   真空系統


國科會半導體製程設備推動小組

國科會精密儀器發展中心


圖書推薦

  1. 莊達人編著, VLSI製造技術, 高立圖書有限公司, 1995年7月.


參考文獻

  1. K. K. Schuegraf, Handbook of Thin-Film Deposition Processes and Techniques, Noyes Publications, 1988.
  2. John L. Vossen and W Kern, Thin Film Processes, Academic Press, 1978.


廠商型錄

製 造 商
公 司 電 話 傳 真 產品型錄                    
台灣日真股份有限公司  
 


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